Компания SK Hynix сообщила о начале выпуска памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ. Каждая микросхема состоит из 4 кристаллов плотностью 16 Гбит, работает при низком напряжении 0,6 В и при подключении к 64-разрядной шине памяти способна выдавать скорость 34,1 ГБ/с. Габариты — 12 х 12,7 х 1 мм. Память предназначена и для смартфонов, и для ноутбуков и даже для автомобилей.

SK Hynix представила память LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ

Напомним, что первопроходцем по выпуску LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ еще в октябре минувшего года стала Samsung. 

Источник: ferra.ru

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here

17 − 9 =